Universal behavior of magnetoresistance in quantum dot arrays with different degrees of disorder

نویسندگان
چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Universal behavior of magnetoresistance in quantum dot arrays with different degrees of disorder.

The magnetoresistance in a two-dimensional array of Ge/Si quantum dots was studied in a wide range of zero magnetic field conductances, where the transport regime changes from a hopping to a diffusive one. The behavior of the magnetoresistance is found to be similar for all samples--it is negative in weak fields and becomes positive with increasing magnetic field. The result apparently contradi...

متن کامل

investigation of gassing behavior, electric and dielectric properties of different insulating fluids.

ترانسفورماتورهای قدرت از اجزای اصلی شبکه تامین انرژی الکتریکی می باشند که عملکرد قابل اطمینان ترانسفورماتورها یکی از فاکتورهای مهم و تعیین کننده در تامین انرژی الکتریکی محسوب می شود. در نتیجه بررسی و مانیتور عملکرد ترانسفورماتورها در شبکه و همچنین عیب یابی این ترانسفورماتورها غیرقابل اجتناب و ضروری می باشد. به طور کلی عایق های مایع در صنعت فشار قوی کاربردهای متفاوتی دارند که مهمترین وظیفه آنها...

15 صفحه اول

development of different optical methods for determination of glucose using cadmium telluride quantum dots and silver nanoparticles

a simple, rapid and low-cost scanner spectroscopy method for the glucose determination by utilizing glucose oxidase and cdte/tga quantum dots as chromoionophore has been described. the detection was based on the combination of the glucose enzymatic reaction and the quenching effect of h2o2 on the cdte quantum dots (qds) photoluminescence.in this study glucose was determined by utilizing glucose...

Energy Levels of InGaAs/GaAs Quantum Dot Lasers with Different Sizes

In this paper, we have studied the strain, band-edge, and energy levels of cubic InGaAs quantum dots (QDs) surrounded by GaAs. It is shown that overall strain value is larger in InGaAs-GaAs interfaces, as well as in smaller QDs. Also, it is proved that conduction and valence band-edges and electron-hole levels are size dependent; larger QD sizes appeared to result in the lower recombination...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Journal of Physics: Condensed Matter

سال: 2013

ISSN: 0953-8984,1361-648X

DOI: 10.1088/0953-8984/25/50/505801